Hersteller Produktnummer:
TSM60N380CI C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM60N380CI C0G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 11A ITO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
12949919
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TSM60N380CI C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1040 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
TSM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TSM60N380CI C0G-DG
TSM60N380CIC0G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHA12N60E-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
923
TEILNUMMER
SIHA12N60E-E3-DG
Einheitspreis
0.99
ERSATZART
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